狭ギャップ半導体における低次元鏡像電荷効果に基づく中赤外領域励起子制御

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 狭ギャップ半導体における低次元鏡像電荷効果に基づく中赤外領域励起子制御
• 著者・編者: 鈴木, 寿一
• 著者標目: 鈴木, 寿一
• 出版年月日等: 2018-06-22
• 出版年（W3CDTF）: 2018-06-22
• 並列タイトル等: Mid-infrared exciton control based on low-dimensional image charge effects in narrow-gap semiconductors
• タイトル（掲載誌）: 科学研究費助成事業研究成果報告書
• 掲載ページ: 1-5
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 狭ギャップ半導体; 低次元系; クーロン相互作用; 固定電荷
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 低誘電率ホスト材料上InAs薄膜構造(InAs/low-k構造)を作製し、この系の電流低周波ノイズの挙動を調べた結果、InAs薄膜内電子のクーロン相互作用の特徴的長さが20 nm程度であることがわかった。また、InAs/low-k構造におけるInAsとlow-k材料の間に高誘電率酸化物を挿入したInAs/high-k/low-k構造の作製に成功し、この系においては、界面の幾何学的不均一性による電子の散乱は抑制されるものの、界面近傍の意図せぬ固定電荷によるクーロン散乱の影響が大きいことが示された。：We fabricated and investigated InAs/low-k structures, where high-quality InAs thin films are bonded on host low-dielectric-constant (low-k) flexible substrates. From low-frequency noise measurements of the InAs/low-k, we found that the relevant length of Coulomb interaction is ~ 20 nm for electrons in the InAs. We also fabricated and investigated InAs/high-k/low-k structures, where high-k insulator layers are inserted between the InAs and the low-k. As a result, it is found that the InAs/high-k/low-k can suppress interface fluctuation scattering of electrons, whereas Coulomb scattering is enhanced by unintentional interface fixed charges.; 挑戦的萌芽研究; 研究期間：2015～2017; 課題番号：15K13348; 研究者番号：80362028; 研究分野：化合物半導体エレクトロニクス; identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/15410
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/15410/1/15K13348seika.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ