並列タイトル等Development of innovative fabrication technology for silicon solar cells using a novel low-temperature doping method
一般注記本研究は、ドーピング非晶質シリコン層を、ノンドープ非晶質シリコン層への事後のドーピングにより形成する「Catドーピング」を用いて作製し、シリコンヘテロ接合太陽電池を作製する技術の確立を目指したものである。非晶質シリコン/結晶シリコン界面でのキャリア再結合が悪化しないドーピング条件の明確化と、シリコンヘテロ接合太陽電池の動作確認および高開放電圧化を目標とした。その結果、主にドーピング時の基板温度の調整により、界面特性を悪化させることなくn型およびp型非晶質シリコン層を形成可能であるとを見出した。また、Catドーピングで形成したp型非晶質シリコンを用いて作製した太陽電池の動作に成功した。 研究成果の学術的意義や社会的意義: 結晶シリコン太陽電池における究極の構造の一つといえる、裏面電極型シリコンヘテロ接合太陽電池の量産化において、裏面の非晶質シリコンの安価なパターニングが課題となっている。本研究において、事後のドーピングで形成した非晶質シリコン膜が太陽電池に利用できることが見出されたことから、非晶質シリコン膜に対しCatドーピングをハードマスクを通して行うことにより、事後のパターニング法として展開できる可能性を示した。 ： In this study, we aimed to establish a technology to fabricate silicon heterojunction solar cells by using “Cat-doping” to form a doped amorphous silicon layer by post doping to an intrinsic amorphous silicon layer. We attempted to clarify doping conditions by which an amorphous silicon/crystalline silicon interface does not deteriorate and the operation of silicon heterojunction solar cells containing Cat-doped a-Si layers showing high open-circuit voltage. We have demonstrated that n-type and p-type amorphous silicon layers can be formed by Cat-doping without deteriorating interface qualities by tuning the substrate temperature during Cat-doping. We have also succeeded in the operation of silicon heterojunction solar cells with p-type amorphous silicon formed by Cat-doping.
挑戦的萌芽研究
研究期間：2016～2018
課題番号：16K14400
研究者番号：40396510
研究分野： 太陽電池
identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/16025
一次資料へのリンクURLhttps://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/16025/1/16K14400seika.pdf
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
提供元機関・データベース北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ