並列タイトル等Low temperature synthesis of a Mg2Si thin film with help of plasma
一般注記application/pdf
研究報告書
研究成果の概要（和文）：地球温暖化や資源の有効利用の観点から、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電変
換技術が注目されている。マグネシウムシリサイドMg2Si は無害で資源豊富な点で有望であるが，マグネシウムとシリ
コンの物性の違いから良質のMg2Si膜を合成することが難しい課題があった。また従来単結晶シリコンのみが基板とし
て利用された。筆者らは、Si/Mg逐次堆積と希ガス中アニール処理を組み合わせて、良質の多結晶Mg2Si膜を単結晶サフ
ァイア基板上に合成することに初めて成功した。また、予備的ながら、高周波プラズマアシスト処理により合成最低温
度が300℃から約250℃まで低下するデータを得た。
研究成果の概要（英文）：From view points of the global warming and the effective use of natural resources, there is a growing attention in the thermoelectric energy conversion that yields electricity
from wasted heat. Magnesium silicide Mg2Si has been expected as a promising thermoelectric material because it consists of harmless and resource-abundant elements. However, it has a problem that a
high-quality Mg2Si thin film is difficult to be synthesized because there are differences in thermodynamic properties between Mg and Si. By adopting a combination of the sequential sputter deposition of Si and Mg and the sample annealing in inert gas atmosphere, the authors have succeeded in making a high-quality polycrystalline Mg2Si film on a sapphire substrate for the first time. In addition, we obtained a preliminary result that a high-frequency plasma helped to decrease the synthetic temperature from 300℃ to about 250℃.
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）