窒素プラズマを用いた4H-SiC表面の窒化に関する研究 [論文内容及び審査の要旨]

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 窒素プラズマを用いた4H-SiC表面の窒化に関する研究 [論文内容及び審査の要旨]
• 著者・編者: 嶋林, 正晴
• 著者標目: 嶋林, 正晴
• 出版事項: Hokkaido University
• 出版年月日等: 2019-03-25
• 出版年（W3CDTF）: 2019-03-25
• 並列タイトル等: Studies on surface nitriding of 4H-SiC using nitrogen plasmas [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
• 寄与者: 佐々木, 浩一; 越崎, 直人; 富岡, 智; 朝倉, 清高
• 授与機関名: 北海道大学
• 報告番号: 甲第13650号
• 学位: 博士(工学)
• 本文の言語コード: jpn
• NDC: 500
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: (主査) 教授 佐々木 浩一, 特任教授 越崎 直人, 教授 富岡 智, 教授 朝倉 清高; 工学院（量子理工学専攻）
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 著作権情報: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
• 参照（URI）: HDL; http://hdl.handle.net/2115/74173
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 北海道大学 : 北海道大学学術成果コレクション

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