極限環境応用のための4H-SiC半導体上の低抵抗・高信頼Ni/Nbオーミック接触形成

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 極限環境応用のための4H-SiC半導体上の低抵抗・高信頼Ni/Nbオーミック接触形成
• 著者・編者: Vuong, Cuong Van
• 著者標目: Vuong, Cuong Van
• 並列タイトル等: Low Specific Contact Resistance and High-Temperature Reliability of Ni/Nb Ohmic Contacts on 4H-SiC for Harsh Environment Applications
• 授与機関名: 広島大学
• 授与年月日: 2020-03-23
• 報告番号: 甲第8161号
• 学位: 博士(理学); Doctor of Science
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 内容の要約
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 広島大学 : 広島大学学術情報リポジトリ

目次

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