アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究
• タイトルよみ: アニール ギジュツ オ モチイタ コウセイノウ シリコン ハクマク トランジスタ 二カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 野口, 隆
• 授与機関名: 同志社大学; Doshisha University
• 授与年月日: 1992-02-28
• 報告番号: 乙第96号
• 学位: 博士(工学)
• 件名標目: 薄膜トランジスタ; エキシマレーザアニール; 多結晶シリコン; TFT; ELA; poly Si
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR; application/pdf
• DOI: 10.14988/00027521; https://doi.org/10.14988/00027521
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: zo96 （fulltext）; https://doshisha.repo.nii.ac.jp/record/27529/files/zo96.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 別の記録形式: URI : 掲載刊行物所蔵情報へのリンク ／ Link to Contents; https://doors.doshisha.ac.jp/opac/opac_link/bibid/BB10019016/?lang=0
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 同志社大学 : 同志社大学学術リポジトリ

• 要約等: ポリSi薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化について、理論的、技術的な観点から種々の問題点を導き、特にトラップ密度や粒径の大小がTFTの電気的特性に与える影響を詳細に解析し、イオン注入やその後のアニール技術などによって充分に実証を行ったものである。特にエキシマレーザアニール（ELA）を用いた、全工程...