シリコン基板上GaNの高分解TEM観察

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: シリコン基板上GaNの高分解TEM観察
• 著者・編者: 澤木, 宣彦; 岩田, 博之; 川北, 将吾; 本田, 善央
• 著者標目: 澤木, 宣彦; 岩田, 博之; 川北, 将吾; 本田, 善央
• 出版事項: 愛知工業大学
• 出版年月日等: 2012-09-27
• 出版年（W3CDTF）: 2012-09-27
• 並列タイトル等: シリコン キバン ジョウ GaN ノ コウブンカイ TEM カンサツ; HR-TEM Analyses of GaN grown on silicon substrate
• タイトル（掲載誌）: 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.
• 巻号年月日等（掲載誌）: 14
• 掲載巻: 14
• 掲載ページ: 23-26
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1344-9672
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: Growth of a high quality GaN on a silicon substrate has been attempted. In order to prevent Ga-Si reaction at high temperatures，an AlInN alloy was tested as the intermediate layer between the GaN grown layer and the Si substrate. It was found that growth of thin AlN layer followed by the growth of AlInN intermediate layer could improve crystalline quality of the GaN top layer. The density of threading dislocation as well as point defect are reduced substantially. High resolution (HR-) TEM analyses showed that the AlN layer has been grown on Si substrate introducing misfit dislocation. Moreover，the AInN layer has also been grown epitaxially introducing misfit dislocations as predicted by nominal lattice constants at room temperature.; identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/2097
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/2097/1/%e7%b7%8f%e7%a0%9414%e5%8f%b7%28P23-26%29.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 愛知工業大学 : 愛知工業大学学術情報リポジトリ