Si基板上GaNのPLスペクトルへの熱処理効果

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Si基板上GaNのPLスペクトルへの熱処理効果
• 著者・編者: 澤木, 宣彦; 小林, 宙主; 神谷, 俊輝; 亀井, 亮吾; 入江, 将嗣; 本田, 善央; 天野, 浩; 安, 亨洙
• 著者標目: 澤木, 宣彦; 小林, 宙主; 神谷, 俊輝; 亀井, 亮吾; 入江, 将嗣; 本田, 善央; 天野, 浩; 安, 亨洙
• 出版事項: 愛知工業大学
• 出版年月日等: 2016-09-23
• 出版年（W3CDTF）: 2016-09-23
• 並列タイトル等: Si キバンジョウ GaN ノ PL スペクトル エノ ネツ ショリ コウカ; Effect of rapid thermal annealing on PL spectra of a GaN grown on Si substrate
• タイトル（掲載誌）: 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.
• 巻号年月日等（掲載誌）: 18
• 掲載巻: 18
• 掲載ページ: 43-48
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1344-9672
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: The behavior of photoluminescence spectra under rapid thermal annealing (RTA) was investigated in a GaN epilayer grown on a ( 111 )Si. High optical quality of the GaN layer had been achieved by using an In doped AlN nucleation layer and a low temperature grown AlInN buffer layer; a high band edge emission and low intensities of mid-gap emissions. It was found that the green and yellow emission bands are not influenced much by the RTA up to 700℃，while the blue emission band at 450nm is enhanced by RTA at temperatures higher than 500℃. The possible origin and mechanism of the enhancement were discussed in terms of un-intentionally doped hydrogen.; identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/3130
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/3130/1/%e7%b7%8f%e7%a0%9418%e5%8f%b7%28p43-p48%29.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 愛知工業大学 : 愛知工業大学学術情報リポジトリ