Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties

デジタルデータあり（Materials Data Repository）

学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）

Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties

資料種別: 記事

著者: Yuichi Oshimaほか

出版者: IOP Publishing

出版年: 2020-02-20

資料形態: デジタル

掲載誌名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 35 5

掲載ページ: p.55022-55022

すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

Materials Data Repository
デジタル
連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
Materials Data Repositoryのサイトでこの本を確認

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

デジタル

資料種別: 記事
タイトル: Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties
著者・編者: Yuichi Oshima
Katsuaki Kawara
Takayoshi Oshima
Mitsuru Okigawa
Takashi Shinohe
著者標目: Yuichi Oshima
Katsuaki Kawara
Takayoshi Oshima
Mitsuru Okigawa
Takashi Shinohe
出版事項: IOP Publishing
出版年月日等: 2020-02-20
出版年（W3CDTF）: 2020-02-20
タイトル（掲載誌）: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
巻号年月日等（掲載誌）: 35 5
掲載巻: 35
掲載号: 5
掲載ページ: 55022-55022
ISSN（掲載誌）: ISSN : 02681242
本文の言語コード: eng
件名標目: α-Ga2O3
HVPE
対象利用者: 一般
DOI: 10.48505/nims.4538
記録形式（IMT）: application/pdf
一次資料へのリンクURL: HVPE-aGa2O3-rapid_growth200203.pdf
https://mdr.nims.go.jp/downloads/zp38wk26w
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
著作権情報: © 2020 IOP Publishing Ltd<br> This is an author-created, un-copyedited version of an article accepted for publication/published in Semiconductor Science and Technology. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab7843.
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 物質・材料研究機構 : Materials Data Repository