Quantitative characterization of built-in potential profile across GaAs p–n junctions using Kelvin probe force microscopy with qPlus sensor AFM

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Quantitative characterization of built-in potential profile across GaAs p–n junctions using Kelvin probe force microscopy with qPlus sensor AFM
• 著者・編者: Nobuyuki Ishida; Takaaki Mano
• 著者標目: Nobuyuki Ishida; https://orcid.org/0000-0003-0161-0583; Takaaki Mano; https://orcid.org/0000-0002-6955-260X
• 出版事項: IOP Publishing
• 出版年月日等: 2023-11-09
• 出版年（W3CDTF）: 2023-11-09
• タイトル（掲載誌）: Nanotechnology
• 巻号年月日等（掲載誌）: 35 6
• 掲載巻: 35
• 掲載号: 6
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 13616528
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: Kelvin probe force microscopy; p-n junction; GaAs(110); qPlus sensor
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.48505/nims.4463
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 著作権情報: This is the version of the article before peer review or editing, as submitted by an author to Nanotechnology . IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at https://doi.org/10.1088/1361-6528/ad0b5e.
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 物質・材料研究機構 : Materials Data Repository

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