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Bias voltage effects on tunneling magnetoresistance in Fe/ <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">MgAl</mml:mi><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub><mml:mo>/</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">Fe</mml:mi><mml:mo>(</mml:mo><mml:mn>001</mml:mn><mml:mo>)</mml:mo></mml:math> junctions: Comparative study with Fe/MgO/Fe(001) junctions

資料種別
記事
著者
Yoshio Miuraほか
出版者
American Physical Society (APS)
出版年
2017-08-21
資料形態
デジタル
掲載誌名
Physical Review B 96 5
掲載ページ
p.054428-
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資料詳細

要約等:

We investigate bias voltage effects on the spin-dependent transport properties of Fe/MgAl${}_2$O${}_4$/Fe(001) magnetic tunneling junctions (MTJs) by ...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
出版年月日等
2017-08-21
出版年(W3CDTF)
2017-08-21
タイトル(掲載誌)
Physical Review B
巻号年月日等(掲載誌)
96 5
掲載巻
96
掲載号
5
掲載ページ
054428-
掲載年月日(W3CDTF)
2017-08-21
ISSN(掲載誌)
1550235X
24699950
出版事項(掲載誌)
American Physical Society (APS)
対象利用者
一般
オンライン閲覧公開範囲
インターネット公開
著作権情報
In Copyright
参照
Quantum Annealing Optimization Method for the Design of Barrier Materials in Magnetic Tunnel Junctions
Interfacial giant tunnel magnetoresistance and bulk-induced large perpendicular magnetic anisotropy in (111)-oriented junctions with fcc ferromagnetic alloys: A first-principles study
Interface-driven giant tunnel magnetoresistance in (111)-oriented junctions
Band-folding-driven high tunnel magnetoresistance ratios in (111)-oriented junctions with <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:msub><mml:mi>SrTiO</mml:mi><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math> barriers
Perpendicular magnetic anisotropy at the <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mrow><mml:mi>Fe</mml:mi><mml:mo>/</mml:mo><mml:msub><mml:mi>MgAl</mml:mi><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub></mml:mrow></mml:math> interface: Comparative first-principles study with Fe/MgO
Microstructural evolution of perpendicular magnetization films with an ultra-thin Co2FeAl/MgAl2O4(001) structure
Interfacial resonant tunneling induced by folded bands and providing highly spin-polarized current in spinel-oxide barrier junctions
Observation and theoretical calculations of voltage-induced large magnetocapacitance beyond 330% in MgO-based magnetic tunnel junctions
Enhanced Magnetoresistance under Bias Voltage in <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:mi>Fe</mml:mi></mml:math> / <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:mrow><mml:mi>Mg</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi></mml:mrow></mml:math> / <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>Mg</mml:mi><mml:mi>Al</mml:mi></mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi></mml:mrow></mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub></mml:math> / <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:mrow><mml:mi>Mg</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi></mml:mrow></mml:math> / <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:mi>Fe</mml:mi></mml:math> Trilayer Tunneling Barrier Junction
Giant tunnel magnetoresistance in polycrystalline magnetic tunnel junctions with highly textured MgAl2O4(001) based barriers
参照
Epitaxial Mn2.5Ga thin films with giant perpendicular magnetic anisotropy for spintronic devices
Tetragonal D0<sub>22</sub>Mn<sub>3+<i>x</i></sub>Ge Epitaxial Films Grown on MgO(100) with a Large Perpendicular Magnetic Anisotropy
Low-resistive monocrystalline Mg-Al-O barrier magnetic tunnel junctions for spin-transfer magnetization switching
Long-Lived Ultrafast Spin Precession in Manganese Alloys Films with a Large Perpendicular Magnetic Anisotropy
Post-oxidized Mg-Al-O(001) coherent tunneling barrier in a wide range of resistance-area products
First-principles study of tunneling magnetoresistance in Fe/MgAl<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow/><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub></mml:math>O<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow/><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub></mml:math>/Fe(001) magnetic tunnel junctions
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<b><i>Ab initio</i></b>pseudopotential method for the calculation of conductance in quantum wires
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Resonant electronic states and<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:mi>I</mml:mi><mml:mtext>−</mml:mtext><mml:mi>V</mml:mi></mml:mrow></mml:math>curves of Fe/MgO/Fe(100) tunnel junctions
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Spin-dependent tunneling conductance of<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi mathvariant="normal">Fe</mml:mi><mml:mi>|</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">MgO</mml:mi><mml:mi>|</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">Fe</mml:mi></mml:math>sandwiches
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連携機関・データベース
国立情報学研究所 : CiNii Research

デジタル

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一次資料へのリンクURL
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異版(DOI)
10.1103/physrevb.96.054428
連携機関・データベース
国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
提供元機関・データベース
物質・材料研究機構 : Materials Data Repository