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目次
56(3) 1987.03
- X線光学素子とその利用技術
p342~351
- ホログラムを用いた光ビーム偏向素子の最適設計法
p368~372
- 分子レベルで見た光励起プロセス
p332~341
- アモルファス半導体の評価(技術ノート)
p387~394
56(1) 1987.01
- 半円筒凹形境界面内部の波動伝搬現象
p106~113
- GaAs FETしきい値電圧とアニール条件
p33~41
56(2) 1987.02
- イオンビームスパッタ法によるダイヤモンド状炭素膜の耐摩耗性
p256~262
- インラインホログラムのデジタル画像解析による粒径・位置の計測法
p211~215
- 氷の衝撃圧縮
p206~210
- 静水高圧下における超音波測定とブリルアン散乱
p161~175