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目次
22(11) 1979.11
- TaN薄膜素子を用いたピラニ型真空計の試作
p392~397
- アルミニウムを用いた超高真空系
p373~388
- ジョセフソン接合作製のためのスパッタ装置
p367~372
- 排気曲線P(t)の物理的意味
p389~391
- クライオポンプを使用した微粒子の製法
p398~401
22(9) 1979.09
- ESR,NMR法による微粒子ZnOの表面蓄積層と水素吸着の研究
p296~305
- 電界放射型電子銃を備えた電子顕微鏡
p287~295
- 高真空蒸発の蒸発空間における物質移動についての一考察
p306~310
- オージェ電子放出を利用する出現電位分光法
p311~317
22(7) 1979.07
- 電導性SnO2膜,In2O3膜
p253~266
- 銅フタロシアニン蒸着薄膜の熱的挙動
p273~278
- クラスタイオンビーム蒸着法によるInSbおよびGaAs薄膜の作製
p267~272
- 自己潤滑性焼結合金
p279~283
22(8) 1979.08
- グロー放電アモルファス・シリコンの反射率と吸収係数
p263~273
- 金属蒸気の分圧測定
p253~262
22(10) 1979.10
- エジソンの電灯発明と真空
p329~340
- 錫の反応性スパッタリング過程
p341~345
- 多原子分子の解離による熱陰イオン生成反応の熱化学的考察
p346~351
22(12) 1979.12
- 真空第21巻総目次(1979年1月~12月)
p.巻末p1~4
- 実用的真空系に於ける分子の平均滞在時間の測定
p429~434
- アモルファス半導体における変調光電流
p411~446
- 金属シリサイドの形成技術と評価
p411~428