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目次
33(10) 1990.10
- 超LSI微細加工とイオン注入
p797~803
- SEMを利用した微小針製作装置の試作
p813~815
- STM′90会議報告
p818~824
33(12) 1990.12
- 微粒子の計測技術--エアロゾルから真空ダストへ
p900~908
- 酸化物試料のオージェ分析におけるHe+イオン照射効果
p928~933
- 真空におけるダストフリー技術
p909~915
- カートリッジNEG(St101 Zr-Al)特性
p934~939
- 蛍光X線によるAL膜厚測定
p922~927
33(11) 1990.11
- 単結晶ZnTeの拡張出現電位微細構造に関する研究
p874~878
- 軟X線分光法とシリコン化合物・薄膜系
p848~853
- ZnSeのMOMBEの成長におけるGaAs基板硫黄処理効果
p861~866
- 水素終端によるSi単結晶表面の不活性化
p854~860
- 反応性蒸着法による高温超伝導薄膜の作製と結晶成長過程
p841~847
33(9) 1990.09
- 真空の科学と技術およびその応用に関する国際協同体案内書
p747~754
- 第1回原子層エピタキシー国際シンポジウム報告
p755~757
- 13m〓スペースチャンバの真空排気システム
p738~746