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95(2) 1975.02
- ガラス転移温度に観測される熱刺激電流
p71～78
- 陽光柱における電離波動間のモード結合
p49～54
95(3) 1975.03
- ポリエチレンの電荷注入特性に及ぼす極性基の効果
p111～117
- トリー進展に及ぼす誘電体異物の効果
p103～110
- 電気負性気体および不平等電界中の複合誘電体における部分放電
p133～140
- nsパルスによるエポキシ樹脂のTreeing破壊
p95～102
- シリコーン油の低温領域における誘電特性
p118～124
95(4) 1975.04
- 磁界中陽光柱の臨界磁界付近における内部磁界
p141～148
- 3%Si-Fe単結晶磁心の動的磁化機構
p149～156
- 不平等電界中(針対平板)におけるアルカリハライド結晶の破壊
p165～172
- 真空ギャップを用いたメガワット高周波発振器
p173～179
95(5) 1975.05
- Ta陽極酸化膜の光起電力ならびにトラップ準位に関する考察
p209～215
- 分子線エピタキシャルGaP,Ga(AsP)
p181～186
- GM管後効果放電の遅延発生機構について
p201～208
- 高融点半導体BPの結晶成長と電気的・光学的性質
p216～222
95(6) 1975.06
- 時間遅れをもつ非線形系の強制振動
p239～246
- γ線照射ポリエチレンの高温領域における熱刺激電流
p255～260
- ドリフト不安定イオン音波の非線形効果
p223～230
- レーザ光照射による気中放電トリガ機構の研究
p247～254
95(7) 1975.07
- As-Te-Ge-Si系アモルファス半導体薄膜界面の電気的特性
p284～291
- 大電流・低エネルギーイオンビームの生成
p261～268
- 共鳴光照射によるセシウムプラズマの密度分布の制御
p277～283
- 極低温領域におけるポリエチレンのトリーイング現象
p292～299
95(8) 1975.08
- 高エネルギーカーボンアークの放射測定
p319～326
- 振動電圧を重畳したTwin Probe特性
p327～334
- CdS:Cu電子ビーム蒸着膜の光容量赤外線クェンチング
p341～348
- 部分放電平衡検出回路による外部雑音の抑制
p349～355
- シリコーン油の部分放電特性
p311～318
95(9) 1975.09
- 間接式抵抗炉炉内温度の均一化法とその温度上昇特性の解析
p392～399
- 象限電位計を用いる高感度静電形トルク平衡計器
p379～385
- Townsend放電域へのBoltzmann方程式の適用について
p357～364
- 液体誘電体の低電界における導電挙動とイオン解離エネルギー
p372～378
- 液相成長法によるZn1-xCdxTe pn接合の形成
p386～391
95(10) 1975.10
- 放電灯点灯回路のシミュレーションについて
p409～415
- 水トリーの発生と進展のメカニズム
p401～408
- 直流電圧によるポリエチレンのトリーイング破壊現象
p423～430
- 低気圧空気中の放電劣化から推定した微小ボイドの特徴
p431～438
95(11) 1975.11
- 可飽和鉄心を持つ直列共振回路における非線形振動
p475～482
- ばらつき表示モデルによる陰極加熱説の評価
p467～474
- 液相法によるGaPエピタキシャル成長とその理論的解析
p461～466
95(12) 1975.12
- PETPフィルムの電気伝導に及ぼす引張り応力の効果
p491～496
- 球状導体粒子近傍の電界ならびに粒子に働く力の計算と放電への応用
p525～532
- 二重配列型および三重配列型定在波電界カーテンの理論特性
p505～512
- 空気中針対平板ギャップの正インパルス絶縁破壊機構
p497～504