広島工業大学研究紀要34

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: 広島工業大学研究紀要
• タイトルよみ: ヒロシマ コウギョウ ダイガク ケンキュウ キヨウ
• 巻次・部編番号: 34
• 著者標目: 広島工業大学 ヒロシマ コウギョウ ダイガク
• 出版事項: 広島 : 広島工業大学
• 出版年月日等: 2000-02
• 出版年（W3CDTF）: 2000-02
• 刊行巻次・年月次: 1巻1号(昭和41年10月) - 23巻27号 ; 24巻 - 35巻(平成13年2月)
• 大きさ: 30cm
• 並列タイトル等: Research bulletin of the Hiroshima Institute of Technology Research bulletin of the Hiroshima Institute of Technology
• ISSN（掲載誌）: 0385-1672
• ISSN-L（掲載誌）: 0385-1672
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn; eng
• NDLC: ZM2
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による; 刊行頻度の変更あり
• DOI: 10.11501/3210834; https://doi.org/10.11501/3210834
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3210834; https://dl.ndl.go.jp/pid/3210834
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2011-03-31
• 受理日（W3CDTF）: 2012-01-27T12:15:41+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: 1巻1号(昭和41年10月) - 23巻27号(平1.3) ; 24巻(平2.3) - 35巻(平成13年2月)
• 請求記号: Z14-307
• 原資料（JPNO）: 00020451
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3381108; https://dl.ndl.go.jp/pid/3381108
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• DOI: 10.11501/3210834; https://doi.org/10.11501/3210834
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3210834; https://dl.ndl.go.jp/pid/3210834
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（障害者向け資料：レベル2）: プレーンテキスト
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2011-03-31
• 受理日（W3CDTF）: 2012-01-27T12:15:41+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: 1巻1号(昭和41年10月) - 23巻27号(平1.3) ; 24巻(平2.3) - 35巻(平成13年2月)
• 請求記号: Z14-307
• 原資料（JPNO）: 00020451
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3381108; https://dl.ndl.go.jp/pid/3381108
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

GAによる研究室配属問題の一解法

広島工業大学におけるVLSI設計・プロセス工学教育

トランジスタミューテータを用いた高周波バイカッド回路の一構成

工学部では何を教えるべきか--問題点とその改善法

Hyperfine Structure of Hydrogen Atoms in Hydrogenated Amorphous Silicon