書店で探す
目次
89(5)=1008:2015.5
- 高周波・光デバイスの現状と展望 (特集 高周波・光デバイス)
p.262-266
- 高効率GaNスイッチング増幅器技術 (特集 高周波・光デバイス)
p.275-278
- GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減 (特集 高周波・光デバイス)
p.279-282
書店で探す
書誌情報
この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。
- 資料種別
- 雑誌
- ISSN
- 0369-2302
- ISSN-L
- 0369-2302
- タイトル
- タイトルよみ
- ミツビシ デンキ ギホウ
- 巻次・部編番号
- 89巻5号(通号1008) 2015年5月
- 著者標目
- 三菱電機エンジニアリング株式会社 ミツビシ デンキ エンジニアリング カブシキ ガイシャ ( 00300571 )典拠菱電エンジニアリング株式会社 リョウデン エンジニアリング カブシキ ガイシャ ( 01107156 )典拠
- 出版年月日等
- 2015
- 出版年(W3CDTF)
- 2015