日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: 日本結晶成長学会誌
• タイトルよみ: ニホン ケッショウ セイチョウ ガッカイシ
• 巻次・部編番号: 40巻1号 2013年
• 著者標目: 日本結晶成長学会 ニホン ケッショウ セイチョウ ガッカイ ( 00396133 )典拠
• 出版事項: 大阪 : 日本結晶成長学会
• 出版年月日等: 2013
• 出版年（W3CDTF）: 2013
• 出版表示等に関する注記: 出版地の変更あり
• 刊行巻次・年月次: 1巻1号 (1974年11月)-[ ]
• 大きさ: 26-30cm
• 並列タイトル等: Journal of the Japanese Association for Crystal Growth Journal of the Japanese Association for Crystal Growth; Journal of the Japanese Association for Crystal Growth; Journal of the Japanese Association of Crystal Growth
• ISSN（掲載誌）: 0385-6275
• ISSN-L（掲載誌）: 0385-6275
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZM35
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による; 刊行頻度の変更あり; 1巻1号からv. 21, no. 4までの並列タイトル: Journal of the Japanese Association of Crystal Growth
• 総目次・総索引注記: 総目次・総索引あり
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z15-339
• 関連情報: 関連資料; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I025418784
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000029659; http://id.ndl.go.jp/bib/000000029659
• 目録規則: 国立国会図書館逐次刊行物目録規則

目次

SiCバルク単結晶成長の概要 (特集 SiCの現状と今後の展開)

第一原理による多形決定のメカニズム解明 (特集 SiCの現状と今後の展開)

Effect of the Inclusion of Transparency on the Thermal Field and Interface Shape in Long-term Sublimation Growth of SiC Crystals (特集 SiCの現状と今後の展開)

SiC溶液成長の最近の展開 (特集 SiCの現状と今後の展開)

4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術 (特集 SiCの現状と今後の展開)