New diamond = ニューダイヤモンド14(3)(50)

• 資料種別: 雑誌
• ISSN: 1340-4792
• ISSN-L: 1340-4792
• タイトル: New diamond
• タイトルよみ: New diamond
• 巻次・部編番号: 14(3)(50)
• 著者・編者: ニューダイヤモンドフォーラム 編
• 著者標目: ニューダイヤモンドフォーラム ニュー ダイヤモンド フォーラム ( 00296050 )典拠
• 出版事項: 東京 : ニューダイヤモンドフォーラム
• 出版年月日等: 1998-07
• 出版年（W3CDTF）: 1998-07
• 出版表示等に関する注記: 出版者変遷: ニューダイヤモンドフォーラム事務局 (1巻1号)→ オーム社 (2巻2号-<30巻4号>)
• 刊行巻次・年月次: 1巻1号 = 1号 (1985)-
• 大きさ: 30cm
• 並列タイトル等: ニューダイヤモンド ニュー ダイヤモンド
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 表現種別: テキスト
• 機器種別: 機器不用
• キャリア種別: 冊子
• NDLC: ZP9
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による; 刊行頻度の変更あり
• 総目次・総索引注記: 総索引: 「New diamond索引集」 ニューダイヤモンドフォーラム編刊 1995
• DOI: 10.11501/3328646; https://doi.org/10.11501/3328646
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3328646; https://dl.ndl.go.jp/pid/3328646
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2011-03-31
• 受理日（W3CDTF）: 2012-01-30T11:20:14+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: 1巻1号 = 1号 (1985)-30巻4号 = 115号 (2014年10月), 36巻1号 = 136号 (2020年1月)-
• 請求記号: Z17-1378
• 原資料（JPNO）: 00080619
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3381520; https://dl.ndl.go.jp/pid/3381520
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

巻頭言 良い研先をしたい

ガスソ-ス分子線エピタキシ-によるダイヤモンド成長

炭素同素体の電子物性と表面

ホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜のシリコン,水素混入の酸素添加による制御

バイアス電位付加式燃焼炎法により堆魁た平滑,低摩擦のダイヤモンド被膜