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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
ショットキーゲートにより作製した結合量子細線における伝導性
p1~4
集束イオンビームで作製した電子集束構造の電気伝導性とそのアニール効果
p5~8
量子ポイントコンタクトにおける電気伝導
p9~11
イオン散乱分光法による半導体表面の観察
p12~14
中エネルギーイオン散乱法によるSi表面分析
p15~16
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書誌情報
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- 資料種別
- 雑誌
- タイトルよみ
- オオサカ ダイガク キョクゲン ブッシツ ケンキュウ センター ホウコクショ
- 巻次・部編番号
- (5)
- 著者・編者
- 大阪大学極限物質研究センター 編
- 並列タイトル著者・編者
- Research Center for Extreme Materials, Osaka University
- 著者標目
- 大阪大学極限科学研究センター オオサカ ダイガク キョクゲン カガク ケンキュウ センター ( 01026224 )典拠
- 出版年月日等
- 1995-01
- 出版年(W3CDTF)
- 1995-01