Japanese journal of applied physics18Supplement 18-1;1979

• 資料種別: 雑誌
• ISSN: 0021-4922
• ISSN-L: 0021-4922
• タイトル: Japanese journal of applied physics
• 巻次・部編番号: 18Supplement 18-1;1979
• 出版事項: Tokyo : Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyo
• 出版年月日等: 1979-03
• 出版年（W3CDTF）: 1979-03
• 刊行巻次・年月次: 1(1):1962.7 - 20(12):1981.12
• 大きさ: 30 cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng; fre; ger
• NDLC: ZM35
• 一般注記: Description based on the latest issue; With: Index ; Suppl
• 総目次・総索引注記: 総目次・総索引あり
• DOI: 10.11501/11196033; https://doi.org/10.11501/11196033
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11196033; https://dl.ndl.go.jp/pid/11196033
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2019-03-15
• 受理日（W3CDTF）: 2018-12-04T13:52:55+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: 1(1):1962.7 - 20(12):1981.12
• 請求記号: Z53-A375
• 原資料（JPNO）: 10010781
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11196682; https://dl.ndl.go.jp/pid/11196682
• 改題後（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11196685; https://dl.ndl.go.jp/pid/11196685; info:ndljp/pid/11226428; https://dl.ndl.go.jp/pid/11226428; info:ndljp/pid/11399507; https://dl.ndl.go.jp/pid/11399507
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

CONTENTS/

A-0: OPENING SESSION//1～

1. Charge Trapping in Thermal Silicon Dioxide (Invited)/D. J. DIMARIA/3～

A-1: MOS DEVICE AND LSI (1)//11～

1. A VMOS 16K-Bit EPROM (Invited)/D. A. DRAPER ; S. S. NANCE ; B. L. BATEMAN ; F. B. JENNE' ; W. K. WU ; T. J. RODGERS/13～