Sony Technical Reports26(3/4);1987

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: Sony Technical Reports
• 巻次・部編番号: 26(3/4);1987
• 出版事項: Tokyo : Technical Information Research Center, Sony Corp
• 出版年月日等: [1987]
• 出版年（W3CDTF）: 1987
• 刊行巻次・年月次: 26(1):1987 -
• 大きさ: 26 cm
• ISSN（掲載誌）: 0916-7153
• ISSN-L（掲載誌）: 0916-7153
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng; jpn
• NDLC: ZN33
• 一般注記: Description based on the latest issue
• DOI: 10.11501/11028213; https://doi.org/10.11501/11028213
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11028213; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028213
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2018-03-09
• 受理日（W3CDTF）: 2018-01-15T18:38:14+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: 26(1):1987 - 26(3/4):1987
• 請求記号: Z53-M448
• 原資料（JPNO）: 10040672
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11029054; https://dl.ndl.go.jp/pid/11029054
• 改題前（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11028960; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028960
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

目次/

A. 化合物半導体 = Semiconductor materials//～3

1 GaAsへ高濃度イオン注入されたSiの格子位置決定/笠原二郎 ; 奥洞明彦/1～1

2 多数枚成長MOCVDによる選択ドープAlGaAs／GaAs構造の均一性(18a-W-11)/中村文彦 ; 河合弘治 ; 小島千秋/1～1

3 Si注入によるGaAsn+層形成に及ぼす注入損傷の効果(19p-ZD-2)/鈴木俊治 ; 笠原二郎/1～1