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巻号20;NOVEMBER 1998

Proceedings of Symposium on Dry Process 20;NOVEMBER 1998

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Proceedings of Symposium on Dry Process20;NOVEMBER 1998

国立国会図書館請求記号
Z63-B381
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/11019432
資料種別
雑誌
著者
-
出版者
Institute of Electrical Engineers of Japan
出版年
1998-11
資料形態
デジタル
刊行頻度
-
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資料に関する注記

所蔵巻次等:

7:1985 - 22:2000

刊行巻次:

[ ] - 22:2000

一般注記:

Description based on the latest issueTitle in Japanese: Dorai Purosesu Sinpozyumu

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目次

提供元:国立国会図書館デジタルコレクションヘルプページへのリンク
  • THE 20th SYMPOSIUM ON DRY PROCESS PROGRAM = 第20回ドライプロセスシンポジウム プログラム//7~13

  • Wednesday, November 11, 1998 = 11月11日(水)//~78

  • Session I Plenary Talk = Session I 基調講演 -Plenary Talk//~16

  • I-1 <Invited Talk> Surface-Catalysed Atom-Atom Recombination/J. W. Coburn ; Gowri P. Kota ; David B. Graves/1~8

  • I-2 <Invited Talk> High Aspect Ratio SiO₂ Etching Employing Fluorocarbon Substituting Gases = I-2 <Invited Talk> 代替フロロカーボンガスを用いた高アスペクト比SiO₂孔エッチング/Yannick Feurprier ; Makoto Ogata ; Masanori Ozawa ; Toshiaki Kikuchi ; Yasuhiko Chinzei ; Haruo Shindo ; Takanori Ichiki ; Yasuhiro Horiike/9~16

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書誌情報

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デジタル

資料種別
雑誌
巻次・部編番号
20;NOVEMBER 1998
出版年月日等
1998-11
出版年(W3CDTF)
1998-11
刊行巻次・年月次
[ ] - 22:2000
大きさ
28 cm
並列タイトル等
Dorai Purosesu Sinpozyumu
出版地(国名コード)
JP