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GaAs結晶における注入Siイオンの活性化に関する研究

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GaAs結晶における注入Siイオンの活性化に関する研究

国立国会図書館請求記号
UT51-94-F355
国立国会図書館書誌ID
000000269298
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3074685
資料種別
博士論文
著者
大久保誠一 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東北大学,博士 (工学)
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目次

  • 目次

    p3

  • 内容梗概

    p1

  • 第1章 緒論

    p1

  • 第2章 GaAs結晶における注入Siイオンの活性化決定の因子

    p10

  • 2.1 緒言

    p10

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
GaAs ケッショウ ニ オケル チュウニュウ Si イオン ノ カッセイカ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
大久保誠一 [著]
著者標目
大久保, 誠一 オオクボ, セイイチ
授与機関名
東北大学
授与年月日
平成6年1月12日
授与年月日(W3CDTF)
1994
報告番号
乙第6227号
学位
博士 (工学)