Si基板上Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究
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目次
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p1
第1編 序論
p3
1-1 背景
p3
1-2 目的と意義
p5
1-3 本論文の構成
p6
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- Si キバンジョウ 3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ ト レーザ エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 須郷満 [著]
- 著者標目
- 須郷, 満 スゴウ, ミツル
- 授与機関名
- 東京大学
- 授与年月日
- 平成5年2月12日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1993
- 報告番号
- 乙第11077号
- 学位
- 博士 (工学)