流量変調エピタキシャル法におけるⅢ-Ⅴ族化合物半導体への高濃度不純物ドーピングとその応用に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 流量変調エピタキシャル法におけるⅢ-Ⅴ族化合物半導体への高濃度不純物ドーピングとその応用に関する研究
• タイトルよみ: リュウリョウ ヘンチョウ エピタキシャルホウ ニ オケル 3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ エ ノ コウノウド フジュンブツ ドーピング ト ソノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 牧本俊樹 [著]
• 著者標目: 牧本, 俊樹 マキモト, トシキ
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成5年2月12日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1993
• 報告番号: 乙第11078号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-94-P417
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000273929; http://id.ndl.go.jp/bib/000000273929
• 整理区分コード: 213

目次

目次

第1章 序論

1.1 まえがき

1.2 半導体デバイス研究開発における本論文の位置づけ

1.3 本論文の内容