Internal Stark effect caused by inhomogeneous distribution or ionized impurities in highly compensated semiconductors

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Internal Stark effect caused by inhomogeneous distribution or ionized impurities in highly compensated semiconductors
• 著者・編者: 原田義之 [著]
• 著者標目: 原田, 義之 ハラダ, ヨシユキ
• 並列タイトル等: 高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果 コウホショウド ハンドウタイ ニ オケル イオンカ フジュンブツ ノ フキンイツ ブンプ ニ ヨル ナイブ Stark コウカ
• 授与機関名: 大阪大学
• 授与年月日: 平成7年3月23日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1995
• 報告番号: 甲第5152号
• 学位: 博士 (理学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-95-G157
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000282807; http://id.ndl.go.jp/bib/000000282807
• 整理区分コード: 213

目次

Abstract

Contents

§1 Introduction

§2 Theoretical Background

2-1 Stark effect in a hydrogen