MBE技術を用いたSi素子高速化のための結晶成長・ドーピングプロセスの研究
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目次
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p1
第1章 緒言
p1
1.1 研究の背景
p1
1.2 Siエピタキシャル成長及びドーピング技術の概説と本研究の意義
p3
1.3 研究の目的と論文の構成
p7
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- MBE ギジュツ オ モチイタ Si ソシ コウソクカ ノ タメ ノ ケッショウ セイチョウ ドーピング プロセス ノ ケンキュウ
- 著者・編者
- 村上英一 [著]
- 著者標目
- 村上, 英一 ムラカミ, エイイチ
- 授与機関名
- 早稲田大学
- 授与年月日
- 平成7年3月9日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1995
- 報告番号
- 乙第1107号
- 学位
- 博士 (工学)