水素原子援用分子線エピタキシー法によるGaAs量子細線の作製とその光物性

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 水素原子援用分子線エピタキシー法によるGaAs量子細線の作製とその光物性
• タイトルよみ: スイソ ゲンシ エンヨウ ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル GaAs リョウシ サイセン ノ サクセイ ト ソノ ヒカリ ブッセイ
• 著者・編者: 菅谷武芳 [著]
• 著者標目: 菅谷, 武芳 スガヤ, タケヨシ
• 授与機関名: 筑波大学
• 授与年月日: 平成6年3月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1994
• 報告番号: 甲第1248号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-95-Q296
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000287045; http://id.ndl.go.jp/bib/000000287045
• 整理区分コード: 213

目次

目次

第1章 序論

参考文献

第2章 研究の物理的･工学的背景

2-1 半導体量子井戸構造