放射線によるMOSデバイスの特性劣化現象と耐放射線性強化CMOSデバイス技術の研究
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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p2
概要
p1
1 序論
p7
1.1 はじめに
p7
1.2 放射線による酸化膜捕獲電荷と界面準位の発生
p9
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- ホウシャセン ニ ヨル MOS デバイス ノ トクセイ レッカ ゲンショウ ト タイホウシャセンセイ キョウカ CMOS デバイス ギジュツ ノ ケンキュウ
- 著者・編者
- 吉井一郎 [著]
- 著者標目
- 吉井, 一郎 ヨシイ, イチロウ
- 授与機関名
- 名古屋大学
- 授与年月日
- 平成7年12月27日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1995
- 報告番号
- 乙第4914号
- 学位
- 博士 (工学)