In situ observation with spectroscopic ellipsometry during low temperature growth of polycrystalline silicon

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: In situ observation with spectroscopic ellipsometry during low temperature growth of polycrystalline silicon
• 著者・編者: 赤坂哲也 [著]
• 著者標目: 赤坂, 哲也 アカサカ, テツヤ
• 並列タイトル等: 多結晶シリコンの低温成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察 タケッショウ シリコン ノ テイオン セイチョウ カテイ ノ ブンコウ エリプソメトリ ニ ヨル ソノバ カンサツ
• 授与機関名: 東京工業大学
• 授与年月日: 平成8年3月26日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1996
• 報告番号: 甲第3262号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-96-S361
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000301686; http://id.ndl.go.jp/bib/000000301686
• 整理区分コード: 213

目次

論文目録

Contents

Chapter1:Introduction

1.1 Low temperature growth of polycrystalline Si on glass substrate

1.2 Growth mechanism of polycrystalline silicon at low temperature