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フッ酸処理シリコン基板上へのシリコン低温エピタキシャル成長に関する研究

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フッ酸処理シリコン基板上へのシリコン低温エピタキシャル成長に関する研究

国立国会図書館請求記号
UT51-96-S468
国立国会図書館書誌ID
000000301793
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3116601
資料種別
博士論文
著者
宮内昭浩 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京工業大学,博士 (工学)
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目次

  • 論文目録

  • 目次

    p1

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 緒言

    p1

  • 1.2 低温エピ成長技術の必要性

    p1

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
フッサン ショリ シリコン キバンジョウ エ ノ シリコン テイオン エピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
宮内昭浩 [著]
著者標目
宮内, 昭浩 ミヤウチ, アキヒロ
授与機関名
東京工業大学
授与年月日
平成7年10月31日
授与年月日(W3CDTF)
1995
報告番号
乙第2814号
学位
博士 (工学)