Si(001)面上でのGeバッファー層を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Si(001)面上でのGeバッファー層を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長に関する研究
• タイトルよみ: Si(001)メンジョウ デ ノ Ge バッファーソウ オ カイシタ InSb ハクマク ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 森雅之 [著]
• 著者標目: 森, 雅之 モリ, マサユキ
• 授与機関名: 富山大学
• 授与年月日: 平成10年3月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1998
• 報告番号: 甲第26号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-98-G536
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000320953; http://id.ndl.go.jp/bib/000000320953
• 整理区分コード: 213

目次

目次

第1章 序論

1.1 はじめに

1.2 本研究の背景

1.3 本研究の目的と各章の紹介