Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaAs films on Si substrates

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaAs films on Si substrates
• 著者・編者: 前橋兼三 [著]
• 著者標目: 前橋, 兼三 マエハシ, ケンゾウ
• 並列タイトル等: Si基板上のGaAs分子線成長とその薄膜の評価に関する研究 Si キバンジョウ ノ GaAs ブンシセン セイチョウ ト ソノ ハクマク ノ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ
• 授与機関名: 大阪大学
• 授与年月日: 平成10年1月14日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1998
• 報告番号: 乙第7395号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-98-X459
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000329340; http://id.ndl.go.jp/bib/000000329340
• 整理区分コード: 213

目次

Abstract

Contents

Chapter1 Introduction

References of Chapter1

Chapter2 General View of GaAs Growth on Si Substrates