本文に飛ぶ
博士論文

Material design and electronic properties of wide gap semiconducting oxides with extended ns[0] conduction band

博士論文を表すアイコン
表紙は所蔵館によって異なることがあります ヘルプページへのリンク

Material design and electronic properties of wide gap semiconducting oxides with extended ns[0] conduction band

国立国会図書館請求記号
UT51-98-Y374
国立国会図書館書誌ID
000000329873
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3144682
資料種別
博士論文
著者
植田尚之 [著]
出版者
-
授与年月日
平成9年9月30日
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与機関名・学位
東京工業大学,博士 (工学)
すべて見る

資料に関する注記

一般注記:

博士論文

書店で探す

障害者向け資料で読む

目次

提供元:国立国会図書館デジタルコレクションヘルプページへのリンク
  • 論文目録

  • CONTENTS

    p1

  • 1.Introduction

    p1

  • References

    p4

  • Figures

    p5

障害者向け資料で読む

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
植田尚之 [著]
著者標目
植田, 尚之 ウエダ, ナオユキ
並列タイトル等
広がったns[0]伝導帯を持つワイドギャップ酸化物半導体の材料設計と電子物性 ヒロガッタ ns0 デンドウタイ オ モツ ワイド ギャップ サンカブツ ハンドウタイ ノ ザイリョウ セッケイ ト デンシ ブッセイ
授与機関名
東京工業大学
授与年月日
平成9年9月30日
授与年月日(W3CDTF)
1997
報告番号
乙第3093号
学位
博士 (工学)