Study of InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors lattice-mismatched on GaAs substrates

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study of InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors lattice-mismatched on GaAs substrates
• 著者・編者: 樋口克彦 [著]
• 著者標目: 樋口, 克彦 ヒグチ, カツヒコ
• 並列タイトル等: GaAs基板上格子歪緩和InAlAs/InGaAs高電子移動度トランジスタの研究 GaAs キバンジョウ コウシヒズミ カンワ InAlAs/InGaAs コウデンシ イドウド トランジスタ ノ ケンキュウ
• 授与機関名: 東京工業大学
• 授与年月日: 平成9年10月31日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1997
• 報告番号: 乙第3100号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-98-Y381
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000329880; http://id.ndl.go.jp/bib/000000329880
• 整理区分コード: 213

目次

論文目録

Contents

Chapter1 General introduction

1.1 Background of this research

1.2 Subjects of this research