Study of low-temperature silicon epitaxy by photochemical vapor deposition

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study of low-temperature silicon epitaxy by photochemical vapor deposition
• 著者・編者: 阿部克也 [著]
• 著者標目: 阿部, 克也 アベ, カツヤ
• 数量: 冊
• 並列タイトル等: 光CVD法によるシリコンの低温エピタキシャル成長に関する研究 ヒカリ CVDホウ ニ ヨル シリコン ノ テイオン エピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• 授与機関名: 東京工業大学
• 授与年月日: 平成11年3月26日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1999
• 報告番号: 甲第4015号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-99-Y190
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000346234; http://id.ndl.go.jp/bib/000000346234
• 整理区分コード: 213

目次

論文目録

TABLE OF CONTENTS

Preface

Chapter1. Overview and Objectives of This Research

Chapter2. Fundamental Aspects of Silicon Technology