二次イオン質量分析法による半導体プロセス最適化のための評価法に関する研究
図書館・個人送信サービスを利用する
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
国立国会図書館の登録利用者(本登録)の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。
書店で探す
障害者向け資料で読む
目次
目次
p1
第1章 序説
p3
1.1 はじめに
p3
1.2 電子デバイス製造プロセス評価における表面分析法の現状と課題
p4
1.3 本研究の目的
p8
書店で探す
障害者向け資料で読む
- みなサーチ
- プレーンテキスト
みなサーチに登録・ログインで利用できます
書誌情報
この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- ニジ イオン シツリョウ ブンセキホウ ニ ヨル ハンドウタイ プロセス サイテキカ ノ タメ ノ ヒョウカホウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 齋藤玲子 [著]
- 著者標目
- 齋藤, 玲子 サイトウ, レイコ
- 授与機関名
- 成蹊大学
- 授与年月日
- 平成12年3月31日
- 授与年月日(W3CDTF)
- 2000
- 報告番号
- 甲第40号
- 学位
- 博士 (工学)