半導体デバイスの高エネルギー粒子線損傷に関する基礎的研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 半導体デバイスの高エネルギー粒子線損傷に関する基礎的研究
• タイトルよみ: ハンドウタイ デバイス ノ コウエネルギー リュウシセン ソンショウ ニ カンスル キソテキ ケンキュウ
• 著者・編者: 博多哲也 [著]
• 著者標目: 博多, 哲也 ハカタ, テツヤ
• 出版事項: [博多哲也]
• 出版年月日等: 2000
• 出版年（W3CDTF）: 2000
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 熊本大学
• 授与年月日: 平成12年3月24日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2000
• 報告番号: 甲第110号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2000-P411
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000390742; http://id.ndl.go.jp/bib/000000390742
• 整理区分コード: 213

目次

目次

第1章 序論

1.1 研究の背景

1.2 研究の現状

1.3 研究の目的および論文の概要