Research on Growth of GaN Based Semiconductors by RF-Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Research on Growth of GaN Based Semiconductors by RF-Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
• 著者・編者: 草部一秀 [著]
• 著者標目: 草部, 一秀 クサカベ, カズヒデ
• 出版事項: [草部一秀]
• 出版年月日等: 2000
• 出版年（W3CDTF）: 2000
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 上智大学
• 授与年月日: 平成13年3月31日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2001
• 報告番号: 甲第213号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2001-D422
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000398080; http://id.ndl.go.jp/bib/000000398080
• 整理区分コード: 213

目次

CONTENTS

CHAPTER I Introduction

1.1 Introductory Remarks

1.2 Important Properties of III-Nitrides

1.3 Evolution of GaN Materials and their Devices