Si(100)表面上ラジカル窒化膜の形成過程と電気的特性に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Si(100)表面上ラジカル窒化膜の形成過程と電気的特性に関する研究
• タイトルよみ: Si ( 100 ) ヒョウメン ジョウ ラジカル チッカ マク ノ ケイセイ カテイ ト デンキテキ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 松下大介 [著]
• 著者標目: 松下, 大介 マツシタ, ダイスケ
• 出版事項: [松下大介]
• 出版年月日等: [2001]
• 出版年（W3CDTF）: 2001
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: Study on nitride film formation processes and electric properties on Si(100) by radical nitrogen
• 授与機関名: 名古屋大学
• 授与年月日: 平成13年3月26日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2001
• 報告番号: 甲第5075号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2001-D232
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000398597; http://id.ndl.go.jp/bib/000000398597
• 整理区分コード: 213

目次

目次

第1章 序論

1-1 本研究の背景

1-2 シリコン窒化膜の重要性

1-3 研究目的