In situ measurements and growth kinetics of silicon carbide chemical vapor deposition from methyltrichlorosilane

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: In situ measurements and growth kinetics of silicon carbide chemical vapor deposition from methyltrichlorosilane
• 著者・編者: 曾根逸人 [著]
• 著者標目: 曾根, 逸人 ソネ, ハヤト
• 出版事項: [曾根逸人]
• 出版年月日等: [2001]
• 出版年（W3CDTF）: 2001
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: メチルトリクロロシランからの炭化珪素化学蒸着のその場観察と成長機構 メチルトリクロロシラン カラ ノ タンカ ケイソ カガク ジョウチャク ノ ソノ バ カンサツ ト セイチョウ キコウ
• 授与機関名: 東京理科大学
• 授与年月日: 平成13年3月20日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2001
• 報告番号: 乙第652号
• 学位: 博士 (理学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2001-R681
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000413848; http://id.ndl.go.jp/bib/000000413848
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

1 Introduction

2 Growth models

2.1 The stagnant gas layer model

2.2 The one-site competitive adsorption model