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Impurity diffusion and gettering in silicon : symposium held November 27-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A. / editors, Richard B. Fair, Charles W. Pearce, Jack Washburn. (Materials Research Society symposia proceedings ; v. 36)

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Impurity diffusion and gettering in silicon : symposium held November 27-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A. / editors, Richard B. Fair, Charles W. Pearce, Jack Washburn.

(Materials Research Society symposia proceedings ; v. 36)

国立国会図書館請求記号
M15-A1050
国立国会図書館書誌ID
000003126732
資料種別
図書
著者
Fair, Richard B.ほか
出版者
Materials Research Society
出版年
c1985.
資料形態
紙
ページ数・大きさ等
xiii, 284 p. ; 24 cm.
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記：

"Proceedings of the Symposium on Impurity Diffusion and Gettering in Semiconductors ... held as Symposium C at the Materials Research Society Meeting,...

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書誌情報

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紙

資料種別
図書
ISBN
0931837014
ISSN（シリーズ）
0272-9172
タイトル
Impurity diffusion and gettering in silicon : symposium held November 27-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A. / editors, Richard B. Fair, Charles W. Pearce, Jack Washburn.
シリーズタイトル
Materials Research Society symposia proceedings ; v. 36
著者標目
Fair, Richard B.
Pearce, Charles W.
Washburn, Jack, 1921-
Materials Research Society. Meeting (1984 : Boston, Mass.)
Symposium on Impurity Diffusion and Gettering in Semiconductors (1984 : Boston, Mass.)
出版事項
Pittsburgh, Pa. : Materials Research Society
出版年月日等
c1985.
出版年（W3CDTF）
1985
数量
xiii, 284 p. ; 24 cm.