ICCG-13/ICVGE-11 : proceedings of the 13th International Conference on Crystal Growth in conjunction with the 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy : Kyoto,Japan,30 July-4 August 2001. pt.1(section 1-3)

• 資料種別: 図書
• タイトル: ICCG-13/ICVGE-11 : proceedings of the 13th International Conference on Crystal Growth in conjunction with the 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy : Kyoto,Japan,30 July-4 August 2001
• 巻次・部編番号: pt.1(section 1-3)
• 著者・編者: edited by T.Hibiya, J.Mullin, M.Uwaha
• 著者標目: 日比谷, 孟俊, 1945- ヒビヤ, タケトシ, 1945- ( 00188142 )典拠; Mullin, J. B ( 00922057 )典拠; 上羽, 牧夫, 1950- ウワハ, マキオ, 1950- ( 00872107 )典拠
• 出版事項: Tokyo : Elsevier
• 出版年月日等: c2002
• 出版年（W3CDTF）: 2002
• 数量: 903p
• 大きさ: 27cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: M18; MC145
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: "Special issue of Journal of Crystal Growth, Volumes 237-239, Part 1"
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: M18-B157
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000004060075; http://id.ndl.go.jp/bib/000004060075
• 全国書誌番号: 20455759
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 113

目次

Chairperson's preface/ xiv

Editors preface/ xviii

Contents/ xx

Plenary lectures (1)

First-principle calculations for mechanisms of semiconductor epitaxial growth/ 1