Basic equations for the modeling of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) [microform] / Jon C. Freeman

• 資料種別: 図書
• タイトル: Basic equations for the modeling of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) [microform] / Jon C. Freeman
• シリーズタイトル: NASA/TM-2003-211983
• タイトル標目: NASA technical memorandum ; 211983
• 著者標目: Freeman, Jon C; NASA Glenn Research Center
• 出版年（W3CDTF）: 2003
• 数量: 1 microfiche
• 大きさ: 11 × 15 cm
• 出版地（国名コード）: US
• 本文の言語コード: eng
• 資料種別（注記）: [microform]
• 件名標目: Gallium nitrides; Field effect transistors; High electron mobility transistors
• 一般注記: Government document call number: NAS 1.15: 211983; Physical description for original version : 1 v; Shipping list no.: 2003-0339-M; Reproduction note: Microfiche. [Washington, D.C.] : Supt. of Docs., U.S. G.P.O., [2003] 1 microfiche; Related URL: http: //purl.access.gpo.gov/GPO/LPS42594
• GPO管理番号: 0830-D (MF); 0830-D (online)
• 別の媒体に関する注記: Also available via Internet from the Glenn Research Center web site. Address as of 1/21/04: http: //gltrs.grc.nasa.gov/reports/2003/TM-2003-211983.pdf; current access available via PURL
• 原資料等に関する注記: 原資料の出版事項: [Cleveland, Ohio] ; Hanover, MD ; Springfield, VA : National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center : Available from NASA Center for Aerospace Information : National Technical Information Service [distributor, 2003]
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: YCA-NAS 1.15:211983
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000004308669; http://id.ndl.go.jp/bib/000004308669
• RLIN番号: NJRGA1940205-B
• 整理区分コード: 281