P-N junction formation in 6H-SiC by acceptor implantation into n-type substrate CONF-950220-6 DE95 010300

P-N junction formation in 6H-SiC by acceptor implantation into n-type substrate

CONF-950220-6 DE95 010300

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資料種別: 規格・テクニカルリポート類
タイトル: P-N junction formation in 6H-SiC by acceptor implantation into n-type substrate
著者・編者: Rao, M. V
Gardner, J
Griffiths, P
Holland, O. W
Kelner, G
出版年月日等: 1994
出版年（W3CDTF）: 1994
数量: 15 p. (1 microfiche)
資料種別（注記）: [microform]
リポート番号: テクニカルリポート番号 : CONF-950220-6
テクニカルリポート番号 : DE95 010300
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: LS-DE95/010300
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000005520921
http://id.ndl.go.jp/bib/000005520921
整理区分コード: 291