{311} Defects in ion-implanted silicon: The cause of transient diffusion, and a mechanism for dislocation formation CONF-9503125-4 DE96 005430

{311} Defects in ion-implanted silicon: The cause of transient diffusion, and a mechanism for dislocation formation

CONF-9503125-4 DE96 005430

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資料種別: 規格・テクニカルリポート類
タイトル: {311} Defects in ion-implanted silicon: The cause of transient diffusion, and a mechanism for dislocation formation
著者・編者: Eaglesham, D. J
Stolk, P. A
Cheng, J. Y
Gossmann, H. J
Poate, J. M
出版年月日等: 1995
出版年（W3CDTF）: 1995
数量: 8 p. (1 microfiche)
資料種別（注記）: [microform]
リポート番号: テクニカルリポート番号 : CONF-9503125-4
テクニカルリポート番号 : DE96 005430
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: LS-DE96/005430
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000005559901
http://id.ndl.go.jp/bib/000005559901
整理区分コード: 291