Low damage, highly anisotropic dry etching of SiC

• 資料種別: 規格・テクニカルリポート類
• タイトル: Low damage, highly anisotropic dry etching of SiC
• 著者・編者: Wang, J. J; Hong, J; Lambers, E. S; Pearton, S. J; Ren, F
• 出版年月日等: 1998
• 出版年（W3CDTF）: 1998
• 数量: 7 p. (1 microfiche)
• 資料種別（注記）: [microform]
• リポート番号: テクニカルリポート番号 : SAND980662C; テクニカルリポート番号 : DE98 004235; テクニカルリポート番号 : CONF980622
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: LS-DE98/004235
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000005894368; http://id.ndl.go.jp/bib/000005894368
• 整理区分コード: 291