Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport [microform] / Ching-Hua Su and Yi-Gao Sha ([NASA contractor report] ; NASA-CR-204722)

Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport [microform] / Ching-Hua Su and Yi-Gao Sha

([NASA contractor report] ; NASA-CR-204722)

国立国会図書館請求記号: YCA-NAS 1.26:204722
国立国会図書館書誌ID: 000006614002

資料種別: 図書

著者: Su, Ching-Huaほか

出版者: -

出版年: 1995

資料形態: マイクロ

ページ数・大きさ等: microfiche ; 11 × 15 cm

NDC: -

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一般注記：: Shipping list no.: 98-0276-MPhysical description for original version: 1 v

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書誌情報

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マイクロ

資料種別: 図書
タイトル: Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport [microform] / Ching-Hua Su and Yi-Gao Sha
シリーズタイトル: [NASA contractor report] ; NASA-CR-204722
タイトル標目: NASA contractor report ; NASA CR-204722
著者標目: Su, Ching-Hua
Sha, Yi-Gao
United States. National Aeronautics and Space Administration
出版年（W3CDTF）: 1995
数量: microfiche
大きさ: 11 × 15 cm
出版地（国名コード）: US
本文の言語コード: eng
資料種別（注記）: [microform]
件名標目: Crystal growth
Broadband
Semiconductors (Materials)
Vapor deposition
Zinc sulfides
Zinc tellurides
Cadmium sulfides
Zinc selenides
一般注記: Shipping list no.: 98-0276-M
Physical description for original version: 1 v
原資料等に関する注記: 原資料の出版事項: [Washington, DC ; Springfield, Va. : National Aeronautics and Space Administration : National Technical Information Service, distributor, 1995]
SUPTDOC番号: NAS 1.26: 204722
GPO管理番号: 0830-H-14 (MF)
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: YCA-NAS 1.26:204722
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000006614002
http://id.ndl.go.jp/bib/000006614002
OCLC番号: 39401440
https://www.worldcat.org/oclc/39401440
整理区分コード: 281