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飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用

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飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用

国立国会図書館請求記号
Y151-H06555096
国立国会図書館書誌ID
000006997356
資料種別
図書
著者
横山, 新, 広島大学
出版者
-
出版年
1994-1996
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ヒコウ ジカン ソクテイホウ オ モチイタ チュウソクイオン サンランホウ ノ カイハツ ト ハンドウタイ プロセス ヒョウカ ヘ ノ オウヨウ
著者・編者
横山, 新, 広島大学
著者標目
横山, 新 ヨコヤマ, シン
出版年月日等
1994-1996
出版年(W3CDTF)
1994
数量
その他のタイトル
研究種目 試験研究(B)
件名標目
中速イオン散乱 チユウソクイオンサンラン
イオン注入装置 イオンチユウニユウソウチ
飛行時間測定 ヒコウジカンソクテイ
表面損傷 ヒヨウメンソンシヨウ
不純物分布 フジユンブツブンプ
半導体検出器 ハンドウタイケンシユツキ
プラズマ損傷 プラズマソンシヨウ
スペクトルシミユレーシヨン スペクトルシミユレーシヨン